莫來石碳化硅磚的研發及運用．應用標準瓷器輥棒是懸架在莫來石碳化硅磚上燒制的，因而莫來石碳化硅磚應具備高的載荷變軟溫度。另外該磚還應當向瓷器輥棒傳送部分發熱量，因而應具備優良的傳熱性。
 

 

莫來石線膨脹小(a=5.3x10-6/℃)，而碳化硅導熱系數大(1000℃時，λ=38.49

 

W/(m·K))，有益于原材料的耐熱震，另外，碳化硅強度大，有益于提升原材料的抗壓強度。

 

粗、中、細SiC的**應是5：1：4。生產制造碳化硅磚原材料通常采用灰黑色SiC，其成分以下：SiC98.0%，礦酸CO.5%，Fe0.2%，礦酸SiO20.6%。因為融合方法不一樣，加工工藝全過程有差別。不一樣融合方法的簡略加工工藝是：

 

(1)氮化硅融合碳化硅磚：用粗、中、細碳化硅顆粒物和細硅粉成形的坯體，在純N2氣中，在1370℃造成這種以%26alpha;-SiC為骨架圖和以%26alpha;和%26beta;-Si3N4。為栽培基質的氮化硅融合碳化硅磚。在栽培基質中還有小量殘余硅和SiO2N2在工藝品中，這種多組分的相對性含水量隨生產制造加工廠不一樣而異。

 

(2)融合碳化硅磚：將SiC、硅粉、碳粉按必須配制，混和、成形，在1400℃復原氛圍中燒制。在大部分狀況下選用埋炭燒成。在燒制全過程中，造成這種以%26alpha;-SiC為骨架圖，以細晶體%26beta;-SiC為栽培基質的%26beta;-Si3N4融合SiC磚。%26beta;-SiC是在燒制全過程中，細硅粉與細炭粉反映轉化成的，這類商品也帶有小量殘余硅和碳。

 

(3)氧氮化硅融合碳化硅磚：這類磚調料時，細硅粉配制要低于碳化硅。

 

耐火碳化硅磚要以碳化硅(sic)為關鍵原材料,依據規定配上各種各樣融合劑,經髙壓成形，耐火碳化硅磚工藝品具備優良的耐熱性和較高的傳熱系數,且耐蝕性好,是工業窯爐理想化的節能保溫材料，適用范圍:用以熱外理爐、試驗室箱式電阻爐、玻璃退火爐、塘瓷燒結爐、擴散爐及各種各樣窯爐的棚板及隔焰原材料等。

 

莫來石磚中通常含有TiO2、Fe2O3、CaO、MgO、K2O和Na2O等雜質氧化物，天然原料生產的莫來石中的雜質含量要比人工合成原料高。

 

碳化硅制品則以碳化硅為原料，加粘土、氧化硅等粘結劑在1350～1400℃燒成。也可以將碳化硅加硅粉在電爐中氮氣氛下制成氮化硅－碳化硅制品。  

 

碳質制品的熱膨脹系數很低，導熱性高，耐熱震性能好，高溫強度高。

 

這些雜質氧化物在莫來石中起熔劑作用，降低熔液的形成溫度和粘度，增大液相的生成量，提高熔液對固相的溶解速度和溶解數量，但各雜質氧化物所起的作用強弱程度不同，其中以K2O和Na2O對液相形成溫度影響更大，K2O和Na2O分別使其無變量點溫度降低513～724℃，同時還起分解莫來石的作用。

 

焙燒爐用莫來石碳化硅磚，它由下列凈重份額的原材料做成：粒度分布為5-3mm的電熔管件莫來石35-55，粒度分布為2-0mm的碳化硅精礦10-15，粒度分布為180-200目地碳化硅精礦25-30，粒度分布為5-6μm的Al2O3微粉3-5，紙槳1-2，金屬材料鋁1-2，金屬硅1-2。莫來石碳化硅磚Al2O3含水量在30％左右，SiC含水量30-40％。耐火度超過1790℃，載荷變軟剛開始溫度在1600℃左右，相對密度超過2.60g/cm3，孔隙率低于20％，抗壓強度超過90MPa。